氮化镓（GaN）是一种宽禁带（3.4 eV）化合物半导体材料，晶体结构为六方纤锌矿型。相较于传统硅，它具备更高的击穿场强、更快的电子迁移率和更高的饱和电子速率，使器件在高压、高频和高温环境下仍能保持低损耗和高效率。

山东镓数智能科技有限公司与北京化工大学和化工资源有效利用国家重点实验室联合开展技术创新研究，在不断提升公司现有技术的基础上，实现在第三代半导体材料和器件方向的技术创新和技术积累，开拓新技术和新市场。

目前公司产品中GaN单晶衬底：2-4英寸；厚度400-500微米；位错密度小于5.0×10⁵cm^-2。